Антава

IXYS

Транзистор IXFP26N30X3

IXFP26N30X3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X3-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
26 A
Power dissipation
170 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 208 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%613,96 ₽

Сумма · с НДС 22%613,96 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1613,96 ₽
от 25465,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFP26N30X3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current26 A
Power dissipation170 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance66 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge22nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time105ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 26A; 170W; TO220AB

Документация

Документ производителяДокумент производителя