Антава

IXYS

Транзистор IXFP22N65X2M

IXFP22N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
22 A
Power dissipation
37 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 238 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 295,93 ₽

Сумма · с НДС 22%1 295,93 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 295,93 ₽
от 10802,69 ₽
от 30725,80 ₽
от 50692,04 ₽
от 100647,03 ₽
от 200602,02 ₽
от 250585,14 ₽
от 300573,89 ₽
от 500540,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFP22N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current22 A
Power dissipation37 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.145 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge37nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time145ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 37W; TO220AB

Документация

Документ производителя