Антава

IXYS

Транзистор IXFP18N65X2

IXFP18N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
18 A
Рассеиваемая мощность
290 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFP18N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current18 A
Рассеиваемая мощность290 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time135ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO220AB

Документация

Документ производителя