Антава

IXYS

Транзистор IXFP180N10T2

IXFP180N10T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
180A
Power dissipation
480W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP180N10T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current180A
Power dissipation480W
КорпусTO220AB
On-state resistance6mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time66ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 66ns

Документация

Документ производителя