Антава

IXYS

Транзистор IXFP12N65X2M

IXFP12N65X2M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP12N65X2M
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Power dissipation40 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time155ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 40W; TO220AB

Документация

Документ производителя