Антава

IXYS

Транзистор IXFP12N65X2

IXFP12N65X2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™, X2-Class
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
12 A
Power dissipation
180 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 213 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 118,64 ₽

Сумма · с НДС 22%1 118,64 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 118,64 ₽
от 10671,56 ₽
от 30601,76 ₽
от 50573,47 ₽
от 100530,08 ₽
от 250475,37 ₽
от 300464,05 ₽
от 500443,30 ₽
от 750435,76 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFP12N65X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™, X2-Class
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current12 A
Power dissipation180 W
КорпусTO220AB
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge18.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time155ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO220AB

Документация

Документ производителя