Антава

IXYS

Транзистор IXFP110N15T2

IXFP110N15T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
110 A
Power dissipation
480 W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFP110N15T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current110 A
Power dissipation480 W
КорпусTO220AB
On-state resistance13 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time85ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO220AB; 85ns

Документация

Документ производителя