Антава

IXYS

Транзистор IXFP10N80P

IXFP10N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
10A
Power dissipation
300W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP10N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current10A
Power dissipation300W
КорпусTO220AB
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO220AB

Документация

Документ производителя