Антава

IXYS

Транзистор IXFP10N60P

IXFP10N60P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
10A
Power dissipation
200W
Корпус
TO220AB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFP10N60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current10A
Power dissipation200W
КорпусTO220AB
On-state resistance0.74Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge32nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns

Документация

Документ производителя