Антава

IXYS

Транзистор IXFN82N60P

IXFN82N60P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
600V
Drain current
72A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN82N60P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage600V
Drain current72A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance75mΩ
Pulsed drain current200A
Power dissipation1.04kW
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge240nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±40V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 600V; 72A; SOT227B; screw; Idm: 200A

Документация

Документ производителя