Антава

IXYS

Транзистор IXFN80N60P3

IXFN80N60P3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
600 V
Drain current
66 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN80N60P3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage600 V
Drain current66 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance77 mΩ
Pulsed drain current200 A
Рассеиваемая мощность960 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Kind of channelenhancement
Gate charge0.19µC
Reverse recovery time250ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A

Документация

Документ производителя