Антава

IXYS

Транзистор IXFN80N50Q3

IXFN80N50Q3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
500 V
Drain current
63 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN80N50Q3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage500 V
Drain current63 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance65 mΩ
Pulsed drain current240 A
Рассеиваемая мощность780 W
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge200nC
Reverse recovery time250ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 500V; 63A; SOT227B; screw; Idm: 240A

Документация

Документ производителя