Антава

IXYS

Транзистор IXFN80N50P

IXFN80N50P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
500V
Drain current
66A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN80N50P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage500V
Drain current66A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance65mΩ
Pulsed drain current200A
Power dissipation700W
TechnologyHiPerFET™, PolarHV™
Kind of channelenhancement
Gate charge195nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 500V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A

Документация

Документ производителя