Антава

IXYS

IXFN70N100X

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
65 A
Корпус
SOT227B
On-state resistance
89 mΩ
Power dissipation
1.2 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN70N100X
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Drain-source voltage1 kV
Drain current65 A
КорпусSOT227B
On-state resistance89 mΩ
Power dissipation1.2 kW
ТехнологияHiPerFET™
Reverse recovery time310ns
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; 1kV; 65A; SOT227B; 1.2kW; HiPerFET™; 310ns; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.