Антава

IXYS

Транзистор IXFN66N85X

IXFN66N85X
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
850 V
Drain current
65 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 148 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%11 726,76 ₽

Сумма · с НДС 22%11 726,76 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 111 726,76 ₽
от 310 374,73 ₽
от 109 310,33 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN66N85X
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage850 V
Drain current65 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance65 mΩ
Pulsed drain current140 A
Рассеиваемая мощность830 W
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge230nC
Reverse recovery time250ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 850V; 65A; SOT227B; screw; Idm: 140A

Документация

Документ производителя