Антава

IXYS

Транзистор IXFN64N60P

IXFN64N60P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
600 V
Drain current
50 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN64N60P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage600 V
Drain current50 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance96 mΩ
Pulsed drain current150 A
Power dissipation700 W
ТехнологияHiPerFET™, PolarHV™
Kind of channelenhancement
Gate charge200nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 600V; 50A; SOT227B; screw; Idm: 150A

Документация

Документ производителя