Антава

IXYS

Транзистор IXFN62N80Q3

IXFN62N80Q3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
800 V
Drain current
49 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN62N80Q3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage800 V
Drain current49 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.14 Ω
Pulsed drain current180 A
Рассеиваемая мощность960 W
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge0.27µC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 800V; 49A; SOT227B; screw; Idm: 180A

Документация

Документ производителя