Антава

IXYS

Транзистор IXFN60N80P

IXFN60N80P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
800 V
Drain current
53 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN60N80P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage800 V
Drain current53 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.14 Ω
Pulsed drain current150 A
Power dissipation1.04 kW
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge250nC
Reverse recovery time250ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 800V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A

Документация

Документ производителя