Антава

IXYS

Транзистор IXFN55N50

IXFN55N50
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
500 V
Drain current
55 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN55N50
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage500 V
Drain current55 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance80 mΩ
Pulsed drain current220 A
Power dissipation625 W
ТехнологияHiPerFET™
Kind of channelenhancement
Gate charge330nC
Reverse recovery time250ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 500V; 55A; SOT227B; screw; Idm: 220A

Документация

Документ производителя