Антава

IXYS

Транзистор IXFN52N100X

IXFN52N100X
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
44 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFN52N100X
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1 kV
Drain current44 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.125 Ω
Pulsed drain current100 A
Power dissipation830 W
ТехнологияHiPerFET™, X-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge245nC
Reverse recovery time260ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1kV; 44A; SOT227B; screw; Idm: 100A; 830W

Документация

Документ производителя