Антава

IXYS

Транзистор IXFN520N075T2

IXFN520N075T2
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
75 V
Drain current
480 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN520N075T2
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage75 V
Drain current480 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance1.9 mΩ
Pulsed drain current1.5kA
Power dissipation940 W
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Kind of channelenhancement
Gate charge545nC
Reverse recovery time150ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 75V; 480A; SOT227B; screw; Idm: 1.5kA

Документация

Документ производителя