Антава

IXYS

Транзистор IXFN420N10T

IXFN420N10T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
100 V
Drain current
420 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 98 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%7 384,56 ₽

Сумма · с НДС 22%7 384,56 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17 384,56 ₽
от 56 380,81 ₽
от 105 768,16 ₽
от 205 567,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN420N10T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage100 V
Drain current420 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance2.3 mΩ
Pulsed drain current1kA
Power dissipation1.07 kW
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™
Kind of channelenhancement
Gate charge670nC
Reverse recovery time140ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 100V; 420A; SOT227B; screw; Idm: 1kA

Документация

Документ производителя