Антава

IXYS

Транзистор IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.1 kV
Drain current
35 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%4 628,02 ₽

Сумма · с НДС 22%4 628,02 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 628,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN40N110Q3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.1 kV
Drain current35 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.26 Ω
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность960 W
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge300nC
Reverse recovery time434ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.1kV; 35A; SOT227B; screw; Idm: 100A

Документация

Документ производителя