Антава

IXYS

Транзистор IXFN40N110P

IXFN40N110P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.1 kV
Drain current
34 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 959,75 ₽

Сумма · с НДС 22%4 959,75 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 959,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN40N110P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.1 kV
Drain current34 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.26 Ω
Pulsed drain current100 A
Рассеиваемая мощность890 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge310nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.1kV; 34A; SOT227B; screw; Idm: 100A

Документация

Документ производителя