Антава

IXYS

Транзистор IXFN38N100P

IXFN38N100P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
38 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN38N100P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1 kV
Drain current38 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.21 Ω
Pulsed drain current120 A
Power dissipation1 kW
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge0.35µC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1kV; 38A; SOT227B; screw; Idm: 120A

Документация

Документ производителя