Антава

IXYS

Транзистор IXFN360N15T2

IXFN360N15T2
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
150 V
Drain current
310 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN360N15T2
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage150 V
Drain current310 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance4 mΩ
Pulsed drain current900 A
Power dissipation1.07 kW
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Kind of channelenhancement
Gate charge715nC
Reverse recovery time150ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 150V; 310A; SOT227B; screw; Idm: 900A

Документация

Документ производителя