Антава

IXYS

Транзистор IXFN360N10T

IXFN360N10T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
100 V
Drain current
360 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 232 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%5 828,89 ₽

Сумма · с НДС 22%5 828,89 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 15 828,89 ₽
от 55 470,68 ₽
от 104 917,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN360N10T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage100 V
Drain current360 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance2.6 mΩ
Pulsed drain current900 A
Power dissipation830 W
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™
Kind of channelenhancement
Gate charge525nC
Reverse recovery time130ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 100V; 360A; SOT227B; screw; Idm: 900A

Документация

Документ производителя