Антава

IXYS

Транзистор IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
28 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFN32N100Q3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1 kV
Drain current28 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.32 Ω
Pulsed drain current96 A
Power dissipation780 W
ТехнологияHiPerFET™, Q3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge195nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1kV; 28A; SOT227B; screw; Idm: 96A; 780W

Документация

Документ производителя