Антава

IXYS

Транзистор IXFN30N120P

IXFN30N120P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
30A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFN30N120P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.2kV
Drain current30A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.35Ω
Pulsed drain current75A
Power dissipation890W
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge310nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.2kV; 30A; SOT227B; screw; Idm: 75A

Документация

Документ производителя