Антава

IXYS

Транзистор IXFN300N20X3

IXFN300N20X3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
200 V
Drain current
300 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXFN300N20X3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage200 V
Drain current300 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance3.5 mΩ
Pulsed drain current700 A
Рассеиваемая мощность695 W
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge375nC
Reverse recovery time172ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 200V; 300A; SOT227B; screw; Idm: 700A

Документация

Документ производителяДокумент производителя