Антава

IXYS

Транзистор IXFN26N120P

IXFN26N120P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
23 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%8 176,01 ₽

Сумма · с НДС 22%8 176,01 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 18 176,01 ₽
от 37 219,43 ₽
от 106 486,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN26N120P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current23 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance0.5 Ω
Pulsed drain current60 A
Рассеиваемая мощность695 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge255nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.2kV; 23A; SOT227B; screw; Idm: 60A

Документация

Документ производителя