Антава

IXYS

Транзистор IXFN230N20T

IXFN230N20T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
200 V
Drain current
220 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN230N20T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage200 V
Drain current220 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance7.5 mΩ
Pulsed drain current630 A
Power dissipation1090 W
ТехнологияGigaMOS™
Kind of channelenhancement
Gate charge358nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 200V; 220A; SOT227B; screw; Idm: 630A

Документация

Документ производителя