Антава

IXYS

Транзистор IXFN210N30X3

IXFN210N30X3
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
300 V
Drain current
210 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%10 414,38 ₽

Сумма · с НДС 22%10 414,38 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 110 414,38 ₽
от 39 718,44 ₽
от 59 426,71 ₽
от 109 165,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN210N30X3
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage300 V
Drain current210 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance4.6 mΩ
Pulsed drain current650 A
Power dissipation695 W
ТехнологияHiPerFET™, X3-Class
Kind of channelenhancement
Gate charge375nC
Reverse recovery time190ns
Gate-source voltage±20 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 300V; 210A; SOT227B; screw; Idm: 650A

Документация

Документ производителяДокумент производителя