Антава

IXYS

Транзистор IXFN210N20P

IXFN210N20P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
200 V
Drain current
188 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 121 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%9 327,51 ₽

Сумма · с НДС 22%9 327,51 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 19 327,51 ₽
от 108 386,16 ₽
от 207 855,35 ₽
от 507 406,63 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN210N20P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage200 V
Drain current188 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance10.5 mΩ
Pulsed drain current600 A
Power dissipation1.07 kW
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge255nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 200V; 188A; SOT227B; screw; Idm: 600A

Документация

Документ производителя