Антава

IXYS

Транзистор IXFN20N120P

IXFN20N120P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
20 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 7 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 193,72 ₽

Сумма · с НДС 22%3 193,72 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 193,72 ₽
от 33 045,00 ₽
от 103 039,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN20N120P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current20 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance570 mΩ
Pulsed drain current50 A
Power dissipation595 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge193nC
Reverse recovery time300ns
Gate-source voltage±40 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 1.2kV; 20A; SOT227B; screw; Idm: 50A

Документация

Документ производителя