Антава

IXYS

Транзистор IXFN200N10P

IXFN200N10P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
100 V
Drain current
200 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN200N10P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage100 V
Drain current200 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance7.5 mΩ
Pulsed drain current400 A
Power dissipation680 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge235nC
Reverse recovery time150ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 400A

Документация

Документ производителя