Антава

IXYS

Транзистор IXFN180N25T

IXFN180N25T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
250 V
Drain current
168 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 22 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%6 796,38 ₽

Сумма · с НДС 22%6 796,38 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 796,38 ₽
от 55 818,14 ₽
от 105 231,20 ₽
от 204 750,62 ₽
от 504 414,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN180N25T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage250 V
Drain current168 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance12.9 mΩ
Pulsed drain current500 A
Power dissipation900 W
ТехнологияGigaMOS™
Kind of channelenhancement
Gate charge364nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 250V; 168A; SOT227B; screw; Idm: 500A

Документация

Документ производителя