IXYS
Транзистор IXFN180N15P
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- single transistor
- Drain-source voltage
- 150 V
- Drain current
- 150 A
- Корпус
- SOT227B
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%6 089,69 ₽
Сумма · с НДС 22%6 089,69 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 6 089,69 ₽ | |
| от 5 | 5 339,51 ₽ | |
| от 10 | 4 892,71 ₽ | |
| от 20 | 4 484,53 ₽ | |
| от 40 | 4 289,63 ₽ | |
| от 50 | 4 228,95 ₽ | |
| от 100 | 4 111,28 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFN180N15P |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 150 V |
| Drain current | 150 A |
| Корпус | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 11 mΩ |
| Pulsed drain current | 380 A |
| Рассеиваемая мощность | 680 W |
| Технология | HiPerFET™, PolarHT™ |
| Kind of channel | enhancement |
| Gate charge | 240nC |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.