Антава

IXYS

Транзистор IXFN180N15P

IXFN180N15P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
150 V
Drain current
150 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%6 089,69 ₽

Сумма · с НДС 22%6 089,69 ₽

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 089,69 ₽
от 55 339,51 ₽
от 104 892,71 ₽
от 204 484,53 ₽
от 404 289,63 ₽
от 504 228,95 ₽
от 1004 111,28 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN180N15P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage150 V
Drain current150 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance11 mΩ
Pulsed drain current380 A
Рассеиваемая мощность680 W
ТехнологияHiPerFET™, PolarHT™
Kind of channelenhancement
Gate charge240nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 150V; 150A; SOT227B; screw; Idm: 380A

Документация

Документ производителя