Антава

IXYS

Транзистор IXFN170N30P

IXFN170N30P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
300 V
Drain current
138 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN170N30P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage300 V
Drain current138 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance18 mΩ
Pulsed drain current500 A
Power dissipation890 W
ТехнологияHiPerFET™, Polar™
Kind of channelenhancement
Gate charge258nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 300V; 138A; SOT227B; screw; Idm: 500A

Документация

Документ производителя