Антава

IXYS

Транзистор IXFN160N30T

IXFN160N30T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
300 V
Drain current
130 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN160N30T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage300 V
Drain current130 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance19 mΩ
Pulsed drain current444 A
Power dissipation900 W
ТехнологияGigaMOS™
Kind of channelenhancement
Gate charge376nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 300V; 130A; SOT227B; screw; Idm: 444A

Документация

Документ производителя