Антава

IXYS

Транзистор IXFN140N25T

IXFN140N25T
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
250 V
Drain current
120 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFN140N25T
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage250 V
Drain current120 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance17 mΩ
Pulsed drain current400 A
Рассеиваемая мощность690 W
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™
Kind of channelenhancement
Gate charge255nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 250V; 120A; SOT227B; screw; Idm: 400A

Документация

Документ производителя