IXYS
Транзистор IXFN132N50P3
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- single transistor
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 112 A
- Корпус
- SOT227B
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 269 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%7 584,66 ₽
Сумма · с НДС 22%7 584,66 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 7 584,66 ₽ | |
| от 5 | 7 240,86 ₽ | |
| от 10 | 6 872,35 ₽ | |
| от 100 | 6 756,49 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IXFN132N50P3 |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 112 A |
| Корпус | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 39 mΩ |
| Pulsed drain current | 330 A |
| Power dissipation | 1.5 kW |
| Технология | HiPerFET™, Polar™ |
| Kind of channel | enhancement |
| Gate charge | 250nC |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Gate-source voltage | ±40 V |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; single transistor; 500V; 112A; SOT227B; screw; Idm: 330A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.