Антава

IXYS

Транзистор IXFN100N50P

IXFN100N50P
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
single transistor
Drain-source voltage
500 V
Drain current
75 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 228 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%10 308,53 ₽

Сумма · с НДС 22%10 308,53 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 110 308,53 ₽
от 108 374,85 ₽
от 208 084,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXFN100N50P
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structuresingle transistor
Drain-source voltage500 V
Drain current75 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Polarisationunipolar
On-state resistance49 mΩ
Pulsed drain current250 A
Power dissipation1.04 kW
ТехнологияHiPerFET™
Kind of channelenhancement
Gate charge240nC
Reverse recovery time200ns
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; single transistor; 500V; 75A; SOT227B; screw; Idm: 250A

Документация

Документ производителя