Антава

IXYS

Транзистор IXFK90N60X

IXFK90N60X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
90 A
Power dissipation
1.1 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK90N60X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current90 A
Power dissipation1.1 kW
КорпусTO264
On-state resistance38 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time210ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 90A; 1100W; TO264; 210ns

Документация

Документ производителя