Антава

IXYS

Транзистор IXFK88N30P

IXFK88N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
88 A
Power dissipation
600 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки у поставщиков.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXFK88N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current88 A
Power dissipation600 W
КорпусTO264
On-state resistance40 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO264

Документация

Документ производителя