Антава

IXYS

Транзистор IXFK66N85X

IXFK66N85X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
850 V
Drain current
66 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK66N85X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage850 V
Drain current66 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
On-state resistance65 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; TO264; 250ns

Документация

Документ производителя