Антава

IXYS

Транзистор IXFK52N100X

IXFK52N100X
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
52 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK52N100X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current52 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge245nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesultra junction x-class
Reverse recovery time260ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns

Документация

Документ производителя