Антава

IXYS

Транзистор IXFK360N15T2

IXFK360N15T2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
360 A
Power dissipation
1.67 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK360N15T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияGigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current360 A
Power dissipation1.67 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge715nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; TO264

Документация

Документ производителя