Антава

IXYS

Транзистор IXFK360N10T

IXFK360N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
360 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK360N10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current360 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусTO264
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge525nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264

Документация

Документ производителя