Антава

IXYS

Транзистор IXFK32N100X

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Polarisation
N
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
32 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXFK32N100X
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
PolarisationN
Drain-source voltage1 kV
Drain current32 A
Power dissipation890 W
КорпусTO264
Gate-source voltage30 V
On-state resistance0.22 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge130nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Reverse recovery time200ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 32A; 890W; TO264; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.